Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IRFBE30PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4.1А 125Вт, 3 Ом
N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4.1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 3 ом при 2.5a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 125
Крутизна характеристики, S 2.5
Корпус to220ab
Пороговое напряжение на затворе 4
Вес, г 2.5
Vishay
| Напряжение исток-сток макс. | 800В |
| Ток стока макс. | 4.1A |
| Сопротивление открытого канала | 3 Ом |
| Мощность макс. | 125Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс. | 4В |
| Заряд затвора | 78нКл |
| Входная емкость | 1300пФ |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Корпус | TO-220AB |
| Вес брутто | 2.76 г. |
| Наименование | IRFBE30PBF |
| Производитель | Vishay |
| Описание Eng | MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 50 шт |
