Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IRFD024PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.5А 1.3Вт, 0.1 Ом
The IRFD024PBF is a 60V N-channel Power MOSFET, third generation HEXFET® power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is a machine-insertable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1-inch pin centres. The dual drain serves as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to 1W.
• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• 175°C Operating temperature
• Easy to parallel
• Simple drive requirement
• For automatic insertion
• End stackable
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 2.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.1 ом при 1.5a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1.3
Крутизна характеристики, S 0.9
Корпус HVMDIP
Пороговое напряжение на затворе 4
Вес, г 0.6
Vishay
| Напряжение исток-сток макс. | 60В |
| Ток стока макс. | 2.5A |
| Сопротивление открытого канала | 100 мОм |
| Мощность макс. | 1.3Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс. | 4В |
| Заряд затвора | 25нКл |
| Входная емкость | 640пФ |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Корпус | DIP-4 |
| Вес брутто | 0.55 г. |
| Наименование | IRFD024PBF |
| Производитель | Vishay |
| Описание Eng | MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-Pin HVMDIP |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 100 шт |
