Контакты
с 8:00 до 22:00
без выходных
8 (812) 920-85-20
многоканальный
info@bastionit.ru Заказать звонок

Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
IRFD110PBF, Транзистор, MOSFET, N-канал, 100В, 1А [HVMDIP]
Цена по запросу

IRFD110PBF, Транзистор, MOSFET, N-канал, 100В, 1А [HVMDIP]

N-канальный МОП-транзистор, от 100 до 150 В, Vishay Semiconductor
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.54 Ом/0.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1.3
Крутизна характеристики, S 0.8
Корпус HVMDIP-4
Пороговое напряжение на затворе 4
Вес, г 0.6

Дмитрий Тест

Хороший проц
Плюсы:
Да
Минусы:
Нет

Андрюшка

Нормуль
Плюсы:
Плюсы!

Заказать звонок

Заполните форму и мы перезвоним вам в течение 10 минут

Нажимая кнопку, я даю согласие на обработку персональных данных