Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IRFD110PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.0А 1.3Вт, 0.54 Ом
N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.54 ом при 0.6a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1.3
Крутизна характеристики, S 0.8
Корпус HVMDIP
Пороговое напряжение на затворе 4
Вес, г 0.6
Vishay
| Напряжение исток-сток макс. | 100В |
| Ток стока макс. | 1A |
| Сопротивление открытого канала | 540 мОм |
| Мощность макс. | 1.3Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс. | 4В |
| Заряд затвора | 8.3нКл |
| Входная емкость | 180пФ |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Корпус | DIP-4 |
| Вес брутто | 0.57 г. |
| Наименование | IRFD110PBF |
| Производитель | Vishay |
| Описание Eng | MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 100 шт |
