Контакты
с 8:00 до 22:00
без выходных
8 (812) 920-85-20
многоканальный
info@bastionit.ru Заказать звонок

Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
IRFD123PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.3A
Цена по запросу

IRFD123PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.3A

Корпус DIP4, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 1.3 А, Сопротивление открытого канала (мин) 270 мОм Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 80 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 1.1 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.27 ом при 0.78a, 10в Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1 Крутизна характеристики, S 1 Корпус HVMDIP Пороговое напряжение на затворе 4 Вес, г 0.6 Vishay
Напряжение исток-сток макс. 100В
Ток стока макс. 1.3A
Сопротивление открытого канала 270 мОм
Мощность макс. 1.3Вт
Тип транзистора N-канал
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора 16нКл
Входная емкость 360пФ
Тип монтажа Through Hole
Корпус 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Вес брутто 0.6 г.
Наименование IRFD123PBF
Производитель Vishay
Описание Eng MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
Тип упаковки Tube (туба)
Нормоупаковка 100 шт

Дмитрий Тест

Хороший проц
Плюсы:
Да
Минусы:
Нет

Андрюшка

Нормуль
Плюсы:
Плюсы!

Заказать звонок

Заполните форму и мы перезвоним вам в течение 10 минут

Нажимая кнопку, я даю согласие на обработку персональных данных