Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IRFD220PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 0.8А 1.3Вт, 0.8 Ом
The IRFD220PBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is a machine-insertable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1-inch pin centres. The dual drain serves as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to 1W.
• Dynamic dV/dt rating
• For automatic insertion
• End stackable
• Repetitive avalanche rated
• Ease of paralleling
• Simple drive requirements
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.8
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.8 ом при 0.48a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1
Крутизна характеристики, S 1.1
Корпус HVMDIP
Пороговое напряжение на затворе 4
Вес, г 0.6
Vishay
| Напряжение исток-сток макс. | 200В |
| Ток стока макс. | 800мА |
| Сопротивление открытого канала | 800 мОм |
| Мощность макс. | 1Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс. | 4В |
| Заряд затвора | 14нКл |
| Входная емкость | 260пФ |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Вес брутто | 0.6 г. |
| Наименование | IRFD220PBF |
| Производитель | Vishay |
| Описание Eng | MOSFET N-CH 200V 0.8A 4-Pin HVMDIP |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 100 шт |
| Корпус | HVMDIP-4 |
