Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
![IRFD9120PBF, Транзистор, MOSFET, P-канал, 100В, 1A [HVMDIP]](/images/placeholder.jpg)
Цена по запросу
IRFD9120PBF, Транзистор, MOSFET, P-канал, 100В, 1A [HVMDIP]
The Vishay Semiconductor third generation power mosfet provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
Структура | P-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1 |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.6 Ом/0.6А, 10В |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.3 |
Крутизна характеристики, S | 0.71 |
Корпус | HVMDIP-4 |
Пороговое напряжение на затворе | -2…-4 |
Вес, г | 0.6 |