Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

IRFI9634GPBF, MOSFET 250V P-CH HEXFET MOSFET

Цена по запросу

Заказать в 1 клик

IRFI9634GPBF, MOSFET 250V P-CH HEXFET MOSFET

Semiconductors\Discrete SemiconductorsМОП-транзистор 250V P-CH HEXFET МОП-транзистор

Id - непрерывный ток утечки	4.1 A
Pd - рассеивание мощности	35 W
Qg - заряд затвора	38 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	1 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	250 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	4 V
Вид монтажа	Through Hole
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	P-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	IRFI
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	P
Maximum Continuous Drain Current	4.1 A
Maximum Drain Source Resistance	1 Ω
Maximum Drain Source Voltage	250 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	35 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-220FP
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	38 nC @ 10 V
Transistor Polarity	P Channel; Continuous Drain Current Id