Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IRFP1405PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 95А 310Вт
N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
Maximum Operating Temperature +175 °C
Maximum Continuous Drain Current 160 A
Package Type TO-247
Maximum Power Dissipation 310 W
Mounting Type Through Hole
Width 19.71mm
Forward Transconductance 77s
Height 5.31mm
Dimensions 15.29 x 19.71 x 5.31mm
Transistor Material Si
Number of Elements per Chip 1
Length 15.29mm
Transistor Configuration Single
Typical Turn-On Delay Time 12 ns
Brand Infineon
Typical Turn-Off Delay Time 140 ns
Series HEXFET
Minimum Operating Temperature -55 °C
Maximum Drain Source Resistance 5.3 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 55 V
Pin Count 3
Category Power MOSFET
Typical Gate Charge @ Vgs 120 nC @ 10 V
Channel Mode Enhancement
Typical Input Capacitance @ Vds 5600 pF @ 25 V
Channel Type N
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Forward Diode Voltage 1.3V
Вес, г 7.5
Infineon Technologies
| Напряжение исток-сток макс. | 55В |
| Ток стока макс. | 95A |
| Сопротивление открытого канала | 5.3 мОм |
| Мощность макс. | 310Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс. | 4В |
| Заряд затвора | 180нКл |
| Входная емкость | 5600пФ |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Корпус | TO-247AC |
| Вес брутто | 7.44 г. |
| Наименование | IRFP1405PBF |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | Field-effect transistor, N-channel, 55V 95A 310W |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 25 шт |
