Контакты
с 8:00 до 22:00
без выходных
8 (812) 920-85-20
многоканальный
sales@bastion24.ru Заказать звонок

Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
IRFP140PBF, MOSFET 100V N-CHANNEL HEXFET
Цена по запросу

IRFP140PBF, MOSFET 100V N-CHANNEL HEXFET

Semiconductors\Discrete Semiconductors Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 22А, 180Вт, TO247AC Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET
EU RoHS Compliant
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
HTS 8541.10.00.80
Product Category Power MOSFET
Configuration Single
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Number of Elements per Chip 1
Maximum Drain Source Voltage (V) 100
Maximum Gate Source Voltage (V) ±20
Maximum Continuous Drain Current (A) 31
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 77@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 72(Max)@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC) 72(Max)
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 1700@25V
Maximum Power Dissipation (mW) 180000
Typical Fall Time (ns) 43
Typical Rise Time (ns) 44
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 53
Typical Turn-On Delay Time (ns) 11
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 175
Automotive No
Pin Count 3
Supplier Package TO-247AC
Standard Package Name TO-247
Military No
Mounting Through Hole
Package Height 20.7(Max)
Package Length 15.87(Max)
Package Width 5.31(Max)
PCB changed 3
Tab Tab
Lead Shape Through Hole
Base Product Number IRFP140 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 31A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1700pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-247-3
Power Dissipation (Max) 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 77mOhm @ 19A, 10V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package TO-247-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250ВµA
Transistor Polarity N Channel; Continuous Drain Current Id
Maximum Continuous Drain Current 31 A
Maximum Drain Source Voltage 100 V
Package Type TO-247AC

Дмитрий Тест

Хороший проц
Плюсы:
Да
Минусы:
Нет

Андрюшка

Нормуль
Плюсы:
Плюсы!

Заказать звонок

Заполните форму и мы перезвоним вам в течение 10 минут

Нажимая кнопку, я даю согласие на обработку персональных данных