Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

IRFP23N50LPBF

Semiconductors\Discrete Semiconductors Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 23А, Idm: 92А, 370Вт, TO247AC Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	MOSFET
Channel Mode	Enhancement
Maximum Continuous Drain Current	23A
Maximum Drain Source Resistance	0.235?
Maximum Drain Source Voltage	500V
Maximum Gate Source Voltage	±30V
Minimum Operating Temperature	-55°C
Number of Elements per Chip	1
Pin Count	3
Product Height	20.7mm
Product Length	15.87mm
Product Width	5.31mm
Supplier Package	TO-247AC
Typical Fall Time	45ns
Typical Rise Time	94ns
Typical Turn-Off Delay Time	53ns
Typical Turn-On Delay Time	26ns
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	150°C
Максимальная рассеиваемая мощность	370000mW
монтаж (установка)	Through Hole
разрешение	Power MOSFET
Channel Type	N
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	370 W
Minimum Gate Threshold Voltage	3V
Mounting Type	Through Hole
Package Type	TO-247AC
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	150 nC @ 10 V
Width	5.31mm