Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

IRFPE50PBF

Semiconductors\Discrete SemiconductorsIRFPE50 Транзистор IRFPE50 n-канальный, МОП (MOSFET). Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры. Максимальное напряжение сток-исток: 800 В. Максимальный ток стока: 7,8 А. Статические сток-исток-сопротивление: 1,2 Ω. Маркировка транзистора указывается на корпусе. Тип корпуса: TO-247AC. Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	7.8 A
Maximum Drain Source Resistance	1.2 Ω
Maximum Drain Source Voltage	800 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	190 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-247AC
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	200 nC @ 10 V
Width	5.31mm
Transistor Polarity	N Channel; Continuous Drain Current Id
Крутизна характеристики S,А/В	5.6
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм	1200
Температура, С	-55…+150