Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IRFR1018ETRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 79A 3-Pin(2+Tab) DPAKлента на катушке
Максимальная рабочая температура +175 °C
Максимальный непрерывный ток стока 79 A
Тип корпуса DPAK (TO-252)
Максимальное рассеяние мощности 110 Вт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Ширина 6.22мм
Высота 2.39мм
Размеры 6.73 x 6.22 x 2.39мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 6.73мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 13 ns
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 55 нс
Серия HEXFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Максимальное сопротивление сток-исток 8,4 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток 60 В
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 46 нКл при 10 В
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 2290 пФ при 50 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
Вес, г 0.4
Infineon Technologies
| Напряжение исток-сток макс. | 60В |
| Ток стока макс. | 56A(Tc) |
| Сопротивление открытого канала | 8.4 мОм @ 47А, 10В |
| Мощность макс. | 110Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Особенности | Standard |
| Пороговое напряжение включения макс. | 4В @ 100 µA |
| Заряд затвора | 69нКл @ 10В |
| Входная емкость | 2290пФ @ 50В |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Корпус | DPAK/TO-252AA |
| Вес брутто | 0.4 г. |
| Наименование | IRFR1018ETRPBF |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка | 2000 шт |
