Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
IRFR3410TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 31A
Цена по запросу

IRFR3410TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 31A

Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 31 А, Сопротивление открытого канала (мин) 39 мОм Максимальная рабочая температура +175 °C Максимальный непрерывный ток стока 31 A Тип корпуса DPAK (TO-252) Максимальное рассеяние мощности 110 Вт Тип монтажа Поверхностный монтаж Ширина 6.22мм Высота 2.39мм Размеры 6.73 x 6.22 x 2.39мм Материал транзистора Кремний Количество элементов на ИС 1 Длина 6.73мм Transistor Configuration Одинарный Типичное время задержки включения 12 нс Производитель Infineon Типичное время задержки выключения 40 нс Серия HEXFET Минимальная рабочая температура -55 °C Maximum Gate Threshold Voltage 4V Minimum Gate Threshold Voltage 2V Максимальное сопротивление сток-исток 39 mΩ Максимальное напряжение сток-исток 100 В Число контактов 3 Категория Мощный МОП-транзистор Типичный заряд затвора при Vgs 37 nC @ 10 V Номер канала Поднятие Типичная входная емкость при Vds 1690 пФ при 25 В Тип канала N Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В Вес, г 0.4 Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс. 100В
Ток стока макс. 31A
Сопротивление открытого канала 39 мОм
Мощность макс. 3Вт
Тип транзистора N-канал
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора 56нКл
Входная емкость 1690пФ
Тип монтажа Surface Mount
Корпус DPAK/TO-252AA
Вес брутто 0.38 г.
Наименование IRFR3410TRPBF
Производитель Infineon Technologies
Описание Eng MOSFET N-CH 100V 31A DPAK
Тип упаковки Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка 2000 шт