Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IRFR3707ZTRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 56A
Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 56 А, Сопротивление открытого канала (мин) 9.5 мОм
Максимальная рабочая температура +175 °C
Максимальный непрерывный ток стока 56 А
Тип корпуса DPAK (TO-252)
Максимальное рассеяние мощности 50 W
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Ширина 6.22мм
Высота 2.39мм
Размеры 6.73 x 6.22 x 2.39мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 6.73мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 8 нс
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 12 нс
Серия HEXFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 2.25V
Minimum Gate Threshold Voltage 1.35V
Максимальное сопротивление сток-исток 12,5 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток 30 V
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 9,6 нКл при 4,5 В
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 1150 пФ при 15 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
Вес, г 0.4
Infineon Technologies
| Напряжение исток-сток макс. | 30В |
| Ток стока макс. | 56A |
| Сопротивление открытого канала | 9.5 мОм |
| Мощность макс. | 50Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Особенности | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс. | 2.25В |
| Заряд затвора | 14нКл |
| Входная емкость | 1150пФ |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Корпус | DPAK/TO-252AA |
| Вес брутто | 0.41 г. |
| Наименование | IRFR3707ZTRPBF |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | MOSFET N-CH 30V 56A DPAK |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка | 2000 шт |
