Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IRFR3910TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 16A 52Вт
The IRFR3910TRPBF is a HEXFET® fifth generation single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient device for use in a wide variety of applications. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation level up to 1.5W is possible in typical surface-mount applications.
• Advanced process technology
• Fast switching
• Fully avalanche rating
• Low static drain-to-source ON-resistance
• Dynamic dV/dt rating
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 15
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.115 ом при 10a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 79
Крутизна характеристики, S 6.4
Корпус dpak
Вес, г 0.4
Infineon Technologies
| Напряжение исток-сток макс. | 100В |
| Ток стока макс. | 16A |
| Сопротивление открытого канала | 115 мОм |
| Мощность макс. | 79Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс. | 4В |
| Заряд затвора | 44нКл |
| Входная емкость | 640пФ |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Корпус | DPAK/TO-252AA |
| Вес брутто | 0.89 г. |
| Наименование | IRFR3910TRPBF |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | MOSFET N-CH 100V 16A DPAK |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка | 2000 шт |
