Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

IRFR430APBF, Транзистор

Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 500В, 3,2А, 110Вт, DPAK Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	MOSFET
Brand	Vishay Semiconductors
Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	2000
Fall Time	16 ns
Height	2.39 mm
Id - Continuous Drain Current	5 A
Length	6.73 mm
Manufacturer	Vishay
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	TO-252AA-3
Packaging	Reel
Pd - Power Dissipation	110 W
Product Category	MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance	1.7 Ohms
Rise Time	27 ns
RoHS	Details
Technology	Si
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	17 ns
Typical Turn-On Delay Time	8.7 ns
Unit Weight	0.050717 oz
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	500 V
Vgs - Gate-Source Voltage	30 V
Width	6.22 mm
Вес, г	0.66