Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IRFR4620TRLPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 24A
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 24 А, Сопротивление открытого канала (мин) 78 мОм
Максимальная рабочая температура +175 °C
Максимальный непрерывный ток стока 24 А
Тип корпуса DPAK (TO-252)
Максимальное рассеяние мощности 144 Вт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Ширина 7.49мм
Прямая активная межэлектродная проводимость 37S
Высота 2.39мм
Размеры 6.73 x 7.49 x 2.39мм
Материал транзистора SI
Количество элементов на ИС 1
Длина 6.73мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 13.4 ns
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 25,4 нс
Серия HEXFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 5V
Minimum Gate Threshold Voltage 3V
Максимальное сопротивление сток-исток 78 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток 200 В
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 25 нКл при 10 В
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 1710 пФ при 50 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
Прямое напряжение диода 1.3V
Вес, г 0.4
Infineon Technologies
| Напряжение исток-сток макс. | 200В |
| Ток стока макс. | 24A |
| Сопротивление открытого канала | 78 мОм |
| Мощность макс. | 144Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс. | 5В |
| Заряд затвора | 38нКл |
| Входная емкость | 1710пФ |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Корпус | DPAK/TO-252AA |
| Наименование | IRFR4620TRLPBF |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | MOSFET N-CH 200V 24A DPAK |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка | 3000 шт |
