Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

IRFR5305TRPBF, Транзистор P-CH 55V 31A [D-PAK]

Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge.

Структура	P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	28
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.065 Ом/16А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	110
Крутизна характеристики, S	8
Корпус	DPAK(2 Leads+Tab)
Пороговое напряжение на затворе	-4
Вес, г	0.4