Контакты
с 8:00 до 22:00
без выходных
8 (812) 920-85-20
многоканальный
sales@bastion24.ru Заказать звонок

Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
IRFS3307ZTRLPBF, Микросхема
Цена по запросу

IRFS3307ZTRLPBF, Микросхема

Infineon offers a comprehensive portfolio of rugged N-channel and P-channel MOSFET devices for motor control applications.
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Forward Diode Voltage 1.3V
Maximum Continuous Drain Current 128 A
Maximum Drain Source Resistance 5.8 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 75 V
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Maximum Operating Temperature +175 °C
Maximum Power Dissipation 230 W
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type D2PAK(TO-263)
Pin Count 3
Series HEXFET
Typical Gate Charge @ Vgs 79 nC @ 10 V
Width 9.65mm
Вес, г 2.15

Дмитрий Тест

Хороший проц
Плюсы:
Да
Минусы:
Нет

Андрюшка

Нормуль
Плюсы:
Плюсы!

Заказать звонок

Заполните форму и мы перезвоним вам в течение 10 минут

Нажимая кнопку, я даю согласие на обработку персональных данных