Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IRFU120NPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7.7А 42Вт, 0.27 Ом
The IRFU120NPBF is a 100V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using advanced planar technology.
• 175°C Operating temperature
• Dynamic dV/dt rating
• Fully avalanche rated
Максимальная рабочая температура +175 °C
Максимальный непрерывный ток стока 9,4 А
Тип корпуса IPAK (TO-251)
Максимальное рассеяние мощности 48 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Ширина 2.3мм
Высота 6.1мм
Размеры 6.6 x 2.3 x 6.1мм
Материал транзистора SI
Количество элементов на ИС 1
Длина 6.6мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 4.5 ns
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 32 нс
Серия HEXFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Максимальное сопротивление сток-исток 210 мОм
Максимальное напряжение сток-исток 100 В
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 25 нКл при 10 В
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 330 pF@ 25 V
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
Вес, г 0.45
Infineon Technologies
| Напряжение исток-сток макс. | 100В |
| Ток стока макс. | 9.4A |
| Сопротивление открытого канала | 210 мОм |
| Мощность макс. | 48Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс. | 4В |
| Заряд затвора | 25нКл |
| Входная емкость | 330пФ |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Корпус | TO-251AA |
| Вес брутто | 1.02 г. |
| Наименование | IRFU120NPBF |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 75 шт |
