Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

IRFZ14PBF, MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET

Semiconductors\Discrete Semiconductors Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 7,2А, 43Вт, TO220AB Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	MOSFET
Id - непрерывный ток утечки	10 A
Pd - рассеивание мощности	43 W
Qg - заряд затвора	11 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	200 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	60 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	50 ns
Время спада	19 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	2.4 S
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	50
Серия	IRFZ
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	13 ns
Типичное время задержки при включении	10 ns
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Automotive	No
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Single
ECCN (US)	EAR99
EU RoHS	Compliant
Lead Shape	Through Hole
Maximum Continuous Drain Current (A)	10
Maximum Drain Source Resistance (MOhm)	200 10V
Maximum Drain Source Voltage (V)	60
Maximum Gate Source Voltage (V)	±20
Maximum Operating Temperature (°C)	175
Maximum Power Dissipation (mW)	43000
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Mounting	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Part Status	Active
PCB changed	3
Pin Count	3
PPAP	No
Product Category	Power MOSFET
Standard Package Name	TO-220
Supplier Package	TO-220AB
Tab	Tab
Typical Fall Time (ns)	19
Typical Gate Charge @ 10V (nC)	11(Max)
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	11(Max)10V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	300 25V
Typical Rise Time (ns)	50
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	13
Typical Turn-On Delay Time (ns)	10
Transistor Polarity	N Channel; Continuous Drain Current Id
Maximum Continuous Drain Current	10 A
Maximum Drain Source Resistance	200 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	43 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Package Type	TO-220AB
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	11 nC @ 10 V
Width	4.7mm