Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IRFZ44ZPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 51А 80Вт
The IRFZ44ZPBF is a 55V single N-channel HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. It features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for wide variety of applications.
• Advanced process technology
• Ultra low on-resistance
• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
• 175°C Operating temperature
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 50
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.0139 ом при 31a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 150
Крутизна характеристики, S 15
Корпус to220ab
Пороговое напряжение на затворе 2…4
Вес, г 2.5
Infineon Technologies
| Напряжение исток-сток макс. | 55В |
| Ток стока макс. | 51A |
| Сопротивление открытого канала | 13.9 мОм |
| Мощность макс. | 80Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс. | 4В |
| Заряд затвора | 43нКл |
| Входная емкость | 1420пФ |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Корпус | TO-220AB |
| Вес брутто | 2.8 г. |
| Наименование | IRFZ44ZPBF |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | MOSFET N-CH 55V 51A TO-220AB |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 50 шт |
