Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
IRL2203NPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 100А 130Вт, 0.007 Ом
MOSFET, N, 30V, 100A, TO-220 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 30V Current, Id Cont 100A Resistance, Rds On 0.007ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 1V Case Style TO-220AB Termination Type Through Hole Current, Idm Pulse 400A Lead Spacing 2.54mm No. of Pins 3 Power Dissipation 130W Power, Pd 130W Temperature, Current 25°C Temperature, Full Power Rating 25°C Thermal Resistance, Junction to Case A 1.2°C/W Transistors, No. of 1 Voltage, Vds Max 30V Voltage, Vgs th Max 2.5V Voltage, Vgs th Min 1V
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 116 А, Сопротивление открытого канала (мин) 7 мОм
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 116
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±16
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.007 ом при 60a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 180
Крутизна характеристики, S 73
Корпус to220ab
Пороговое напряжение на затворе 1
Вес, г 2.5
Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс. | 30В |
Ток стока макс. | 116A |
Сопротивление открытого канала | 7 мОм |
Мощность макс. | 180Вт |
Тип транзистора | N-канал |
Особенности | Logic Level Gate |
Пороговое напряжение включения макс. | 1В |
Заряд затвора | 60нКл |
Входная емкость | 3290пФ |
Тип монтажа | Through Hole |
Корпус | TO-220AB |
Вес брутто | 2.92 г. |
Наименование | IRL2203NPBF |
Производитель | Infineon Technologies |
Описание Eng | MOSFET N-CH Si 30V 116A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Тип упаковки | Tube (туба) |
Нормоупаковка | 50 шт |