Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IRL630SPBF, MOSFET 200V N-CH HEXFET D2-PA
Semiconductors\Discrete SemiconductorsМОП-транзистор N-Chan 200V 9.0 Amp
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка | Tube |
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 9 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 400@5V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 200 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??10 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 3100 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Pin Count | 3 |
| Process Technology | Single |
| Standard Package Name | TO-263 |
| Supplier Package | D2PAK |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 40(Max) |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 40(Max)@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 1100@25V |
Похожие товары
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
