Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IRL6372TRPBF, MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC
SOIC 8/DUAL MOSFET, 30V, 8.1A, 18MOHM, 2.5V DRIVE CAPABLE
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность DUAL N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 8.1 А, Сопротивление открытого канала (мин) 14 мОм
Структура 2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 8.1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.0179 ом при 8.1a, 4.5в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2
Крутизна характеристики, S 30
Корпус so8
Пороговое напряжение на затворе 0.5…1.1
Вес, г 0.15
Infineon Technologies
| Тип транзистора | 2 N-Channel (Dual) |
| Особенности | Logic Level Gate |
| Максимальное напряжение сток-исток | 30V |
| Маскимальный ток стока | 8.1A |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 2W |
| Вес брутто | 0.2 г. |
| Наименование | IRL6372TRPBF |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC T/R |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка | 4000 шт |
| Корпус | SO-8 |
Похожие товары
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
