Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
![IRLD120PBF, Транзистор N-канал 100В 1.3А [HVMDIP]](/images/placeholder.jpg)
Цена по запросу
IRLD120PBF, Транзистор N-канал 100В 1.3А [HVMDIP]
Описание Транзистор N-МОП, полевой, logic level, 100В 1,3A 1,3Вт DIP4 Характеристики
Категория
Транзистор
Тип
полевой
Вид
MOSFET
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
| Base Product Number | IRLD120 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 1.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 5V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 5V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 490pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | 4-DIP (0.300"", 7.62mm) |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 780mA, 5V |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250ВµA |
| Вес, г | 0.6 |
