Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IRLL014NTRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 2А 2.1Вт
Корпус PGSOT2234, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 2 А, Сопротивление открытого канала (мин) 140 мОм
Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 2.8 A
Тип корпуса SOT-223
Максимальное рассеяние мощности 2.1 W
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Ширина 3.7мм
Высота 1.739мм
Размеры 6.7 x 3.7 x 1.739мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 6.7мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 5,1 нс
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 14 ns
Серия HEXFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 2V
Minimum Gate Threshold Voltage 1V
Максимальное сопротивление сток-исток 280 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток 55 В
Число контактов 3+Tab
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 9,5 нКл при 10 В
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 230 пФ при 25 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -16 V, +16 V
Вес, г 0.39
Полезная информация
* MOSFET ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА
Infineon Technologies
| Напряжение исток-сток макс. | 55В |
| Ток стока макс. | 2A |
| Сопротивление открытого канала | 140 мОм |
| Мощность макс. | 1Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Особенности | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс. | 2В |
| Заряд затвора | 14нКл |
| Входная емкость | 230пФ |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Корпус | SOT-223 |
| Вес брутто | 0.37 г. |
| Наименование | IRLL014NTRPBF |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | MOSFET N-CH 55V 2A SOT223 |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка | 2500 шт |
