Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IRLL024NTRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 3.1А 2.1Вт
The IRLL024NTRPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation for use in a wide variety of applications. It is designed for surface-mount using vapour phase, infrared or wave soldering techniques.
• Advanced process technology
• Ultra-low ON-resistance
• Fully avalanche rating
• Low static drain-to-source ON-resistance
• Dynamic dV/dt rating
• Logic level
Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 4.4 A
Тип корпуса SOT-223
Максимальное рассеяние мощности 2.1 W
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Ширина 3.7мм
Высота 1.739мм
Размеры 6.7 x 3.7 x 1.739мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 6.7мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 7,4 нс
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 18 нс
Серия HEXFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 2V
Minimum Gate Threshold Voltage 1V
Максимальное сопротивление сток-исток 100 мОм
Максимальное напряжение сток-исток 55 В
Число контактов 3+Tab
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 10,4 нКл при 5 В
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 510 пФ при 25 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -16 V, +16 V
Вес, г 0.39
Infineon Technologies
| Напряжение исток-сток макс. | 55В |
| Ток стока макс. | 3.1A |
| Сопротивление открытого канала | 65 мОм |
| Мощность макс. | 1Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Особенности | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс. | 2В |
| Заряд затвора | 15.6нКл |
| Входная емкость | 510пФ |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Корпус | SOT-223 |
| Вес брутто | 0.37 г. |
| Наименование | IRLL024NTRPBF |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223 |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка | 2500 шт |
