Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IRLR024NTRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 17А 38Вт
Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 17 А, Сопротивление открытого канала (мин) 65 мОм
Максимальная рабочая температура +175 °C
Максимальный непрерывный ток стока 17 A
Тип корпуса DPAK (TO-252)
Максимальное рассеяние мощности 45 Вт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Ширина 6.22мм
Высота 2.39мм
Размеры 6.73 x 6.22 x 2.39мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 6.73мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 7.1 ns
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 20 ns
Серия HEXFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 2V
Minimum Gate Threshold Voltage 1V
Максимальное сопротивление сток-исток 110 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток 55 В
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 15 nC @ 5 V
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 480 pF @ 25 V
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -16 V, +16 V
Вес, г 0.4
Infineon Technologies
| Напряжение исток-сток макс. | 55В |
| Ток стока макс. | 17A |
| Сопротивление открытого канала | 65 мОм |
| Мощность макс. | 45Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Особенности | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс. | 2В |
| Заряд затвора | 15нКл |
| Входная емкость | 480пФ |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Корпус | DPAK/TO-252AA |
| Вес брутто | 0.61 г. |
| Наименование | IRLR024NTRPBF |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка | 2000 шт |
