Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IRLR2705TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 28A
N-CH 55V 28A 40mOhm TO252
Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 28 А, Сопротивление открытого канала (мин) 40 мОм
Максимальная рабочая температура +175 °C
Максимальный непрерывный ток стока 28 А
Тип корпуса DPAK (TO-252)
Максимальное рассеяние мощности 68 Вт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Ширина 6.22мм
Высота 2.39мм
Размеры 6.73 x 6.22 x 2.39мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 6.73мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 8,9 нс
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 21 ns
Серия HEXFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 2V
Minimum Gate Threshold Voltage 1V
Максимальное сопротивление сток-исток 65 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток 55 В
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 25 nC @ 5 V
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 880 пФ при 25 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -16 V, +16 V
Вес, г 0.4
Infineon Technologies
| Напряжение исток-сток макс. | 55В |
| Ток стока макс. | 28A |
| Сопротивление открытого канала | 40 мОм |
| Мощность макс. | 68Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Особенности | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс. | 2В |
| Заряд затвора | 25нКл |
| Входная емкость | 880пФ |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Корпус | DPAK/TO-252AA |
| Вес брутто | 0.73 г. |
| Наименование | IRLR2705TRPBF |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | MOSFET N-CH 55V 28A DPAK |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка | 2000 шт |
