Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IRLR2905TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 42A
The IRLR2905TRPBF is a HEXFET® fifth generation single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient device for use in a wide variety of applications. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation level up to 1.5W is possible in typical surface-mount applications.
• Logic level gate drive
• Advanced process technology
• Fully avalanche rating
• Low static drain-to-source ON-resistance
• Dynamic dV/dt rating
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 42
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±16
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.027 ом при 25a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 110
Крутизна характеристики, S 21
Корпус dpak
Вес, г 0.4
Infineon Technologies
| Напряжение исток-сток макс. | 55В |
| Ток стока макс. | 42A |
| Сопротивление открытого канала | 27 мОм |
| Мощность макс. | 110Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Особенности | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс. | 2В |
| Заряд затвора | 48нКл |
| Входная емкость | 1700пФ |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Корпус | DPAK/TO-252AA |
| Вес брутто | 0.65 г. |
| Наименование | IRLR2905TRPBF |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка | 2000 шт |
