Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IRLR2905ZTRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 42А 110Вт
N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 60
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±16
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.0135 ом при 36a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 110
Корпус dpak
Вес, г 0.4
Infineon Technologies
| Напряжение исток-сток макс. | 55В |
| Ток стока макс. | 42A |
| Мощность макс. | 110Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Корпус | DPAK/TO-252AA |
| Вес брутто | 0.63 г. |
| Наименование | IRLR2905ZTRPBF |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка | 2000 шт |
