Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IRLR2908TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 30A
The IRLR2908TRPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Additional features of this HEXFET® power MOSFET is a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation level up to 1.5W is possible in typical surface-mount applications.
• Advanced process technology
• Ultra-low ON-resistance
• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
• Logic level
Максимальная рабочая температура +175 °C
Максимальный непрерывный ток стока 39 А
Тип корпуса DPAK (TO-252)
Максимальное рассеяние мощности 120 Вт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Ширина 6.22мм
Высота 2.39мм
Размеры 6.73 x 6.22 x 2.39мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 6.73мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 12 нс
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 36 ns
Серия HEXFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage 1V
Максимальное сопротивление сток-исток 30 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток 80 V
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 22 nC @ 4.5 V
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 1890 пФ при 25 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -16 V, +16 V
Вес, г 0.4
Infineon Technologies
| Напряжение исток-сток макс. | 80В |
| Ток стока макс. | 30A |
| Сопротивление открытого канала | 28 мОм |
| Мощность макс. | 120Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Особенности | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс. | 2.5В |
| Заряд затвора | 33нКл |
| Входная емкость | 1890пФ |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Корпус | DPAK/TO-252AA |
| Вес брутто | 0.4 г. |
| Наименование | IRLR2908TRPBF |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | MOSFET N-CH 80V 30A DPAK |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка | 2000 шт |
