Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IRLR3110ZTRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 42A
N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 63
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±16
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.014 ом при 38a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 140
Крутизна характеристики, S 52
Корпус dpak
Вес, г 0.4
Infineon Technologies
| Напряжение исток-сток макс. | 100В |
| Ток стока макс. | 42A |
| Сопротивление открытого канала | 14 мОм |
| Мощность макс. | 140Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Особенности | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс. | 2.5В |
| Заряд затвора | 48нКл |
| Входная емкость | 3980пФ |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Корпус | DPAK/TO-252AA |
| Вес брутто | 0.62 г. |
| Наименование | IRLR3110ZTRPBF |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | MOSFET N-CH 100V 42A DPAK |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка | 2000 шт |
