Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IRLR7843TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 161A
Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 161 А, Сопротивление открытого канала (мин) 3.3 мОм
Максимальная рабочая температура +175 °C
Максимальный непрерывный ток стока 161 A
Тип корпуса DPAK (TO-252)
Максимальное рассеяние мощности 140 Вт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Ширина 6.22мм
Высота 2.39мм
Размеры 6.73 x 6.22 x 2.39мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 6.73мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 25 ns
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 34 нс
Серия HEXFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 2.3V
Minimum Gate Threshold Voltage 1.4V
Максимальное сопротивление сток-исток 4 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток 30 V
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 34 нКл при 4,5 В
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 4380 пФ при 15 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
Вес, г 0.4
Infineon Technologies
| Напряжение исток-сток макс. | 30В |
| Ток стока макс. | 161A |
| Сопротивление открытого канала | 3.3 мОм |
| Мощность макс. | 140Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Особенности | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс. | 2.3В |
| Заряд затвора | 50нКл |
| Входная емкость | 4380пФ |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Корпус | DPAK/TO-252AA |
| Вес брутто | 0.62 г. |
| Наименование | IRLR7843TRPBF |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | MOSFET N-CH 30V 161A DPAK |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка | 2000 шт |
