Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
IRLR8743TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 160А 135Вт
Максимальная рабочая температура +175 °C
Максимальный непрерывный ток стока 160 A
Тип корпуса DPAK (TO-252)
Максимальное рассеяние мощности 135 W
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Ширина 6.22мм
Высота 2.39мм
Размеры 6.73 x 6.22 x 2.39мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 6.73мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 19 ns
Производитель Infineon
Типичное время задержки выключения 21 ns
Серия HEXFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 2.35V
Minimum Gate Threshold Voltage 1.35
Максимальное сопротивление сток-исток 3.9 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток 30 V
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 39 nC @ 4.5 V
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 4880 пФ при 15 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
Вес, г 2.5
Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс. | 30В |
Ток стока макс. | 160A |
Сопротивление открытого канала | 3.1 мОм |
Мощность макс. | 135Вт |
Тип транзистора | N-канал |
Особенности | Logic Level Gate |
Пороговое напряжение включения макс. | 2.35В |
Заряд затвора | 59нКл |
Входная емкость | 4880пФ |
Тип монтажа | Surface Mount |
Корпус | DPAK/TO-252AA |
Вес брутто | 0.41 г. |
Наименование | IRLR8743TRPBF |
Производитель | Infineon Technologies |
Описание Eng | MOSFET N-CH 30V 160A DPAK |
Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
Нормоупаковка | 2000 шт |