Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IRLZ34NSTRLPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 30A
N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
Maximum Operating Temperature +175 °C
Maximum Continuous Drain Current 30 A
Package Type D2PAK (TO-263)
Maximum Power Dissipation 68 W
Mounting Type Surface Mount
Width 11.3mm
Forward Transconductance 11s
Height 4.83mm
Dimensions 10.67 x 11.3 x 4.83mm
Transistor Material Si
Number of Elements per Chip 1
Length 10.67mm
Transistor Configuration Single
Typical Turn-On Delay Time 8.9 ns
Brand Infineon
Typical Turn-Off Delay Time 21 ns
Series HEXFET
Minimum Operating Temperature -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 2V
Minimum Gate Threshold Voltage 1V
Maximum Drain Source Resistance 60 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 55 V
Pin Count 3
Category Power MOSFET
Typical Gate Charge @ Vgs 25 nC @ 5 V
Channel Mode Enhancement
Typical Input Capacitance @ Vds 880 pF @ 25 V
Channel Type N
Maximum Gate Source Voltage -16 V, +16 V
Forward Diode Voltage 1.3V
Вес, г 2.5
Infineon Technologies
| Напряжение исток-сток макс. | 55В |
| Ток стока макс. | 30A |
| Сопротивление открытого канала | 35 мОм |
| Мощность макс. | 3.8Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Особенности | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс. | 2В |
| Заряд затвора | 25нКл |
| Входная емкость | 880пФ |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Корпус | D2Pak (TO-263) |
| Вес брутто | 2.3 г. |
| Наименование | IRLZ34NSTRLPBF |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка | 800 шт |
