Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
![ISL9V3040D3ST, Транзистор IGBT 430В 21A [TO-252AA]](/images/placeholder.jpg)
Цена по запросу
ISL9V3040D3ST, Транзистор IGBT 430В 21A [TO-252AA]
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching.
| Технология/семейство | Ignition |
| Наличие встроенного диода | Нет |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 430 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 21 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 150 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 4800 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -40…+175 |
| Корпус | DPAK/TO-252AA |
| Вес, г | 0.4 |
Похожие товары
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
