Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
IXBH12N300
Semiconductors\Discrete Semiconductors Описание Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 3кВ, 12А, 160Вт, TO247-3 Характеристики
Категория
Транзистор
Тип
БТИЗ
Вид
IGBT
| Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
| Brand | IXYS |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 3 kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 3.2 V |
| Configuration | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C | 30 A |
| Continuous Collector Current Ic Max | 30 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity | 30 |
| Gate-Emitter Leakage Current | +/-100 nA |
| Manufacturer | IXYS |
| Maximum Gate Emitter Voltage | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 160 W |
| Product Category | IGBT Transistors |
| Product Type | IGBT Transistors |
| Series | Very High Voltage |
| Subcategory | IGBTs |
| Technology | Si |
| Tradename | BIMOSFET |
Похожие товары
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
