Контакты
с 8:00 до 22:00
без выходных
8 (812) 920-85-20
многоканальный
sales@bastion24.ru Заказать звонок

Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
IXDF604SI, Gate Drivers 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV
Цена по запросу

IXDF604SI, Gate Drivers 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV

Power\Power Management ICs\Gate Drivers Описание IC: driver; low-side,контроллер затвора; SO8-EP; -4?4А; Ch: 2 Характеристики Категория Микросхема Тип драйвер Вид контроллер затвора, low-side switch Монтаж SMD Кол-во каналов 2 Мин.напряжение питания, В 4.5 Макс.напряжение питания, В 35
Категория Микросхема
Тип драйвер
Вид контроллер затвора, low-side switch
Монтаж SMD
Кол-во каналов 2
Мин.напряжение питания, В 4.5
Макс.напряжение питания, В 35
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 9 ns
Время спада 8 ns
Выходной ток 4 A
Категория продукта Драйверы для управления затвором
Количество драйверов 2 Driver
Коммерческое обозначение Clare
Максимальная рабочая температура + 125 C
Минимальная рабочая температура 40 C
Напряжение питания - макс. 35 V
Напряжение питания - мин. 4.5 V
Подкатегория PMIC - Power Management ICs
Продукт MOSFET Gate Drivers
Рабочий ток источника питания 10 uA
Размер фабричной упаковки 100
Серия IXD_604
Технология Si
Тип Low Side
Тип продукта Gate Drivers
Торговая марка IXYS Integrated Circuits
Упаковка Tube
Упаковка / блок SOIC-8
California Prop 65 Warning Information
Channel Type Independent
Current - Peak Output (Source, Sink) 4A, 4A
Driven Configuration Low-Side
ECCN EAR99
Gate Type IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
HTSUS 8542.39.0001
Input Type Inverting, Non-Inverting
Logic Voltage - VIL, VIH 0.8V, 3V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Number of Drivers 2
Operating Temperature -40В°C ~ 125В°C (TA)
Package Tube
Package / Case 8-SOIC (0.154"", 3.90mm Width) Exposed Pad
REACH Status REACH Unaffected
Rise / Fall Time (Typ) 9ns, 8ns
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package 8-SOIC-EP
Voltage - Supply 4.5V ~ 35V
Fall Time 8ns
Load Type IGBT;MOSFET
Peak Output Current(sink) 4A
Peak Output Current(source) 4A
Rise Time 9ns
Supply Voltage 4.5V~35V
Вес, г 0.54

Дмитрий Тест

Хороший проц
Плюсы:
Да
Минусы:
Нет

Андрюшка

Нормуль
Плюсы:
Плюсы!

Заказать звонок

Заполните форму и мы перезвоним вам в течение 10 минут

Нажимая кнопку, я даю согласие на обработку персональных данных