Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
IXTA180N10T, 180 Amps 100V 6.1 Rds
Semiconductors\Discrete Semiconductors Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 180А, 480Вт, TO263, 72нс Характеристики
Категория
Транзистор
Тип
полевой
Вид
MOSFET
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Case | TO263 |
Drain current | 180A |
Drain-source voltage | 100V |
Features of semiconductor devices | thrench gate power mosfet |
Gate charge | 151nC |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | tube |
Manufacturer | IXYS |
Mounting | SMD |
On-state resistance | 6.4mΩ |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 480W |
Reverse recovery time | 72ns |
Type of transistor | N-MOSFET |