Контакты
с 8:00 до 22:00
без выходных
8 (812) 920-85-20
многоканальный
sales@bastion24.ru Заказать звонок

Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
IXTA180N10T, 180 Amps 100V 6.1 Rds
Цена по запросу

IXTA180N10T, 180 Amps 100V 6.1 Rds

Semiconductors\Discrete Semiconductors Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 180А, 480Вт, TO263, 72нс Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET
Case TO263
Drain current 180A
Drain-source voltage 100V
Features of semiconductor devices thrench gate power mosfet
Gate charge 151nC
Kind of channel enhanced
Kind of package tube
Manufacturer IXYS
Mounting SMD
On-state resistance 6.4mΩ
Polarisation unipolar
Power dissipation 480W
Reverse recovery time 72ns
Type of transistor N-MOSFET

Дмитрий Тест

Хороший проц
Плюсы:
Да
Минусы:
Нет

Андрюшка

Нормуль
Плюсы:
Плюсы!

Заказать звонок

Заполните форму и мы перезвоним вам в течение 10 минут

Нажимая кнопку, я даю согласие на обработку персональных данных