Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

Заказать в 1 клик

IXTK200N10L2, L2 Linear Power MOSFET

Semiconductors\Discrete SemiconductorsМОП-транзистор L2 Linear Power МОП-транзистор

Id - непрерывный ток утечки	200 A
Pd - рассеивание мощности	1.04 mW
Qg - заряд затвора	540 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	11 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	225 ns
Время спада	27 ns
Высота	26.16 mm
Длина	19.96 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	Linear L2
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	55 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	25
Серия	IXTK200N10
Технология	Si
Тип	Linear L2 Power MOSFET
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	127 ns
Типичное время задержки при включении	40 ns
Торговая марка	IXYS
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-264-3
Ширина	5.13 mm