Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

IXTP2R4N120P, Транзистор: N-MOSFET, Polar™, полевой, 1,2кВ, 2,4А, Idm: 6А, 125Вт

Описание Транзистор: N-MOSFET, Polar™, полевой, 1,2кВ, 2,4А, Idm: 6А, 125Вт Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	MOSFET
Case	TO220AB
Drain current	2.4A
Drain-source voltage	1.2kV
Features of semiconductor devices	standard power mosfet
Gate charge	37nC
Gate-source voltage	±30V
Kind of channel	enhanced
Kind of package	tube
Manufacturer	IXYS
Mounting	THT
On-state resistance	7.5Ω
Polarisation	unipolar
Power dissipation	125W
Pulsed drain current	6A
Reverse recovery time	920ns
Technology	Polar™
Type of transistor	N-MOSFET
Вес, г	2.06