Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
IXTT48P20P, -48.0 Amps -200V 0.085 Rds
Semiconductors\Discrete Semiconductors Описание Транзистор: P-MOSFET, PolarP™, полевой, -200В, -48А, 462Вт, ТО268 Характеристики
Категория
Транзистор
Тип
полевой
Вид
MOSFET
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Id - непрерывный ток утечки | 48 A |
Pd - рассеивание мощности | 462 W |
Qg - заряд затвора | 103 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 85 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 46 ns |
Время спада | 27 ns |
Высота | 5.1 mm |
Длина | 16.05 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | P-Channel |
Размер фабричной упаковки | 30 |
Серия | IXTT48P20 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 P-Channel |
Типичное время задержки выключения | 67 ns |
Типичное время задержки при включении | 30 ns |
Торговая марка | IXYS |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-268-3 |
Ширина | 14 mm |