Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
KTD998-O, Биполярный транзистор, NPN, 120 В, 10 А, 80 Вт, (Комплементарная пара KTB778)
Характеристики
Структура npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 10
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 150
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 50
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 80
Корпус to126
Korea Electronics
| Тип транзистора | NPN |
| Напряжение Колл-Эмитт. Макс | 120 В |
| Ток коллектора Макс. | 10 А |
| Мощность Макс. | 80 Вт |
| Корпус | TO-3P(H)IS |
| Вес брутто | 7.25 г. |
| Наименование | KTD998-O |
| Производитель | Korea Electronics |
| Описание Eng | Bipolar transistor, NPN, 120 V, 10 A, 80 W, (Complementary pair KTB778) |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 30 шт |
Похожие товары
Цена по запросу
Цена по запросу
