Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

MAX22702DASA+, Gate Driver, 1 канал(-ов), Высокая Сторона и Низкая Сторона, GaN HEMT, SiC MOSFET, 8 вывод(-ов)

Полупроводники - Микросхемы\Микросхемы Управления Питанием\Драйверы Затворов Single-channel isolated gate driver with ultra-high common-mode transient immunity (CMTI) of 300KV/µs (typ). The devices is designed to drive silicon-carbide (SiC) or gallium-nitride (GaN) transistors in various inverter or motor control applications with different output gate-drive circuitry and B-side supply voltages. It features variants with output options for adjustable undervoltage lockout UVLO. Devices has integrated digital galvanic isolation using Maxim's proprietary process technology. Also features isolation for a withstand voltage rating of 3KVRMS (narrow SOIC package) for 60 seconds. It supports a minimum pulse width of 20ns with a maximum pulse width distortion of 2ns. The MAX22702 has a maximum RDSON of 1.25ohm for the low-side driver. It has a maximum RDSON of 4.5ohm for the high side driver. Applications include isolated gate driver for inverters, motor drives, UPS and PV Inverters. • High CMTI (300KV/µs, typ) • Robust galvanic isolation • Withstands ±5KV surge between GNDA and VSSB with 1.2/50µs waveform • Precision UVLO • Differential input

Тип входа	Inverting, Non-Inverting
IC Case / Package	NSOIC
Задержка Выхода	35нс
Задержка по Входу	35нс
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Количество Каналов	1канал(-ов)
Конфигурация Привода	Высокая Сторона и Низкая Сторона
Максимальная Рабочая Температура	125 C
Максимальное Напряжение Питания	5.5В
Минимальная Рабочая Температура	-40 C
Минимальное Напряжение Питания	3В
Стиль Корпуса Привода	NSOIC
Тип переключателя питания	GaN HEMT, SiC MOSFET
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 3-168 часов