Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
MBR1100G, DIODE SCHOTTKY 100V 1A AXIAL
The MBR1100G is an axial-lead Schottky Rectifier with epoxy moulded case. It employs the Schottky barrier principle in a large area metal-to-silicon power diode. The state-of-the-art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlap contact. It is ideally suited for use as rectifiers in low-voltage, high-frequency inverters, free-wheeling diodes and polarity protection diodes.
• Cathode indicated by polarity band
• Low reverse current
• Low stored charge, majority carrier conduction
• Low power loss/high efficiency
• Highly stable oxide passivated junction
• Guard-ring for stress protection
• Low forward voltage
• High surge capacity
• All external surfaces corrosion-resistant
Материал кремний
Кол-во диодов в корпусе 1
Конфигурация диода Одиночный
Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr 100 в
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) 1 А
Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If 790 мВ при 1 А
Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr 500 мкА при 100 В
Рабочая температура PN-прехода -65…+175 C
Корпус DO-204AL / DO-41
Вес, г 0.4
ON Semiconductor
| Обратное напряжение (макс.) | 100В |
| Средний прямой ток | 1А |
| Прямое напряжение (макс.) | 790мВ при 1А |
| Быстродействие | Не более 500нс при токе более 200мА |
| Обратный ток утечки | 500мкА при 100В |
| Корпус | Axial |
| Наименование | MBR1100G |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Описание Eng | Diode Schottky 100V 1A 2-Pin DO-41 Bag |
| Нормоупаковка | 1000 шт |
