Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
MBR130LSFT1G, Диод Шоттки 30V 1А
ON Semiconductor Schottky Barrier Diodes
This ON Semiconductor Schottky power rectifier employs the Schottky barrier principle using a barrier metal to create the best forward voltage drop−reverse current exchange. Suitable for low voltage, high-frequency rectification as well as a freewheeling and polarity protection diode in a range of surface mount applications wherever a more compact size and weight are key.
Материал кремний
Кол-во диодов в корпусе 1
Конфигурация диода Одиночный
Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr 30 в
Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) 1 А
Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If 380 мВ при 1 А
Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr 1 мА при 30 В
Рабочая температура PN-прехода -55…+125 C
Корпус SOD-123FL
Вес, г 0.05
ON Semiconductor
Обратное напряжение (макс.) | 30В |
Средний прямой ток | 1А |
Прямое напряжение (макс.) | 380мВ при 1А |
Быстродействие | Не более 500нс при токе более 200мА |
Обратный ток утечки | 1мА при 30В |
Корпус | SOD-123FL |
Вес брутто | 0.03 г. |
Наименование | MBR130LSFT1G |
Производитель | ON Semiconductor |
Описание Eng | Diode Schottky 30V 1A Automotive 2-Pin SOD-123FL T/R |
Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
Нормоупаковка | 3000 шт |