Контакты
с 8:00 до 22:00
без выходных
8 (812) 920-85-20
многоканальный
info@bastionit.ru Заказать звонок

Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
MCR12DSMT4G, SCR Diode 600V 12A(RMS) 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Цена по запросу

MCR12DSMT4G, SCR Diode 600V 12A(RMS) 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Semiconductor - Discrete > Discrete > SCRs Защита цепи высокого напряжения NEC 600 В
Brand Littelfuse
Breakover Current IBO Max 100 A
Current Rating 7.6 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity 2500
Gate Trigger Current - Igt 200 uA
Gate Trigger Voltage - Vgt 1 V
Holding Current Ih Max 6 mA
Manufacturer Littelfuse
Maximum Gate Peak Inverse Voltage 18 V
Maximum Operating Temperature +110 C
Minimum Operating Temperature -40 C
Mounting Style SMD/SMT
Non Repetitive On-State Current 100 A
Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM 10 uA
On-State RMS Current - It RMS 12 A
Package / Case DPAK-2(TO-252-2)
Product Category SCRs
Product Type SCRs
Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM 600 V
Series MCR12DSM
Subcategory Thyristors
Type SCR
Vf - Forward Voltage 1.9 V
Case DPAK
Features of semiconductor devices glass passivated
Gate current 20mA
Kind of package reel, tape
Load current 7.6A
Manufacturer LITTELFUSE
Max. forward impulse current 100A
Max. load current 12A
Max. off-state voltage 0.6kV
Mounting SMD
Type of thyristor thyristor

Дмитрий Тест

Хороший проц
Плюсы:
Да
Минусы:
Нет

Андрюшка

Нормуль
Плюсы:
Плюсы!

Заказать звонок

Заполните форму и мы перезвоним вам в течение 10 минут

Нажимая кнопку, я даю согласие на обработку персональных данных